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英特尔美光公布新存储芯片

作者:思科商务 来源:本站 发表时间:2016/5/23 22:11:33 查看:次

  英特尔和美光称,他们计划在明年开始销售这种芯片。该芯片的处理速度最高可达到当前多数移动设备所用nand闪存芯片的1000倍,可存储的数据容量是主流dram内存芯片的10倍。

  这项技术名为3d xpoint,虽然处理速度上还无法十分接近dram芯片,但是像nand闪存芯片一样,即便在断电后它仍可以保存数据。英特尔和美光并未披露太多关于3d xpoint的技术细节,包括他们使用的关键材料,但表示使用了一种独特方式来存储数据。

  英特尔和美光高管预计,新芯片的速度将催生新型应用,令业界受益匪浅,特别是那些功能模式建立在大量数据基础之上的应用,比如语音识别、金融诈骗侦测以及基因组学。

  “这确实是一项革命性技术,”美光ceo马克·德肯(mark durcan)周二在技术发布活动上表示。英特尔高级副总裁鲍勃·克鲁克(rob crooke)称:“这是一项很多人认为不可能实现的技术。”

  但是这项新技术的重要性和独创性可能保守争议。近几年来,很多其他公司都已经宣布在存储芯片开发上取得了重要进展。创业公司crossbar战略营销和商业开发副总裁萨尔文·杜波斯(sylvain dubois)表示,英特尔和美光似乎仿效了其电阻式ram技术的元素。“这听起来非常像我们已拥有的技术,”杜波斯称。

  everspin technologies等其他公司也相信,他们在为稳定数据存储芯片提供dram级速度上已抢占先机。

  英特尔和美光计划初期生产能够存储128gb数据的双层芯片(two-layer chip),这一存储容量和现有的部分nand芯片相当。随着在芯片中堆叠更多电路,英特尔和美光计划在日后提升芯片的存储容量。

  参加该技术发布活动的分析师周二表示,硬件设计商需要时间来决定如何或是否使用这项技术。英特尔和美光称,现有技术为产品提供的速度提升远小于新型芯片

  北京时间7月29日早间消息,英特尔和美光已开始生产速度更快的新型存储芯片。两家公司表示,这将改变计算机获取海量数据的方式。

  英特尔和美光周二在公告中表示,3d xpoint是25年来引入市场的首个全新主流存储芯片技术。两家公司将于今年晚些时候向潜在客户提供这款芯片的样片,并表示新产品比当前产品速度快1000倍。

  新的存储芯片希望帮助计算机以更快的速度获取并处理由越来越多联网设备产生的大量数据。这也将有助于各种数据密集型任务,例如疾病的实时追踪,以及具备沉浸感的仿真游戏等。当前类型的存储芯片要么价格过于昂贵,要么没有足够的能力去处理这些任务。

  美光总裁马克·亚当斯(mark adams)表示:“当代计算技术最重要的一大障碍在于处理器从大容量存储中获取数据花费的时间。这种新的非易失性存储器是一种革命性技术,能实现快速访问海量数据,带来全新的应用。”

      这项技术将给软件公司的发展带来革命性意义。

  gartner分析师马廷·雷诺兹(martin reynolds)表示,这一新技术最初很可能被大型数据中心的运营者,例如谷歌和facebook使用,以提高服务器性能。

  他表示:“对它们而言,这带来了巨大的机会,因为它们可以大幅提升服务器的存储量。这是一个全新的市场,你将会看到随之而来的一些新增长。”

  英特尔和美光并未透露用于3d xpoint技术的材料细节。这一新的存储芯片采用了非晶体管架构。美光位于犹他州lehi的工厂将从明年开始生产这款芯片。

  美光和英特尔已经成立了一家合资公司,生产用于移动设备和计算机数据存储的闪存芯片。美光也在为手机和pc生产内存芯片,并与韩国的三星和sk海力士存在竞争关系。(维金)

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